中華人民共和國國家軍用標準
FL 0111 ???????????????????????????????????????????????????????????????GJB ????1649-93
電子產品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ????for ????protcction?????of
electronic products
1993—09—30發布?????????????????????????????1994—06—01實施
國防科學技術工業委員會??批準
目??次
附錄C ??靜電敏感符號的顏色和比例尺寸(參考件) ?(?14)
中?華?人?民?共?和?國?國?家?軍?用?標?準
電子產品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ?for ?protection ?of
elecfronic ??products
GJB??????1649·93
1??范圍
1.1??主題內容
本標準規定(ding)了靜電(dian)敏感電(dian)子產品的靜電(dian)放電(dian)控制要素。還規定(ding)了質(zhi)量(liang)保證(zheng)規定(ding)、資料(liao)要 求、檢(jian)查(cha)及評(ping)審等內容。
1.2??適用范圍
本(ben)標準適用于從事表1所列功能的機構(gou)、承(cheng)制方、轉承(cheng)制方。
本(ben)標(biao)準的(de)(de)某些部分不適(shi)用于所有(you)的(de)(de)訂購(gou)(gou)方(fang)(fang)或使(shi)用方(fang)(fang)，訂購(gou)(gou)方(fang)(fang)應按本(ben)標(biao)準規定出相應的(de)(de)要?求。
本標準(zhun)不適用于(yu)電觸(chu)發引爆裝置(zhi)，也不適用元(yuan)器件的(de)設計要求(qiu)。
1.3??應用指南
本標準可(ke)以剪裁，承制方(fang)應(ying)為訂(ding)購方(fang)選定表1中合適的控(kong)制大綱(gang)功能和要素(su)，并經訂(ding)購方(fang)?認可(ke)。
1.3.1 ???????當訂購方指明(ming)產品是重點工程中的關鍵件時，其?ESD?控制大綱還(huan)應包括3級靜電放?電敏感元器件、組(zu)件和設備(bei)(見5.2.1)。
1.3.2 ???????對承制方沒有執行?ESD??控(kong)制大綱的(de)元(yuan)器件、組件和設備(bei)，訂(ding)購(gou)方可以拒收(shou)或另行采?購(gou)。
2??引用文件
GJB450???????88 ???裝備研制與生產的可靠性通(tong)用大綱
GJB??597-88??微(wei)電路總(zong)規范
3??定義
3.1??術語
3.1.1 ??????靜電放電 ?electrostatic ???????discharge(ESD)
兩個具(ju)有(you)不同(tong)靜(jing)電電位的物體，由于直(zhi)接接觸或靜(jing)電場(chang)感應(ying)引起的兩物體間(jian)的靜(jing)電電荷?的轉移。
3.1.2??????接地 ?grounding
國防科學技術工業委員會1993-09-30發布??????????????????????1994-06-01實施(shi)
表1 ESD控制大綱(gang)要求要素
|
要?素
功?能 |
ESD 控制大?綱計劃 |
分???????級 |
設計保
護(不 包括零 件設計) |
保?護?區 | 操?作?程?序 | 保?護?罩 | 訓????????練 | 硬?件?標?記 | 文??????件 |
包???????裝 |
質量保證規定?檢查和評審 |
失?效?分?析 |
| 見?5?.?1 | 見5.2 | 見5.3 | 見5.4 | .
見5.5 |
見?5?.?6 | 見5.7 | 見?5?.?8 | 見?5?.?9 | 見5.10 | 見5.11,5.12 | 見5.13 | |
| 設??計 | √ | √ | √ | √ | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | V | |
| 生??產 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 檢查和試驗 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
| 貯存和運輸 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 安??裝 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 維護和修理 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
注：“?√?”表示考慮；“一(yi)”表示不考慮。
電氣連接到(dao)能供給或接受大量電荷的物體(如大地、艦船或運載工(gong)具外殼等)。
3.1.3 ?????操作 ?handling
在檢查(cha)、制(zhi)造、裝配(pei)、試驗、修理、返工、維護、安裝、運輸(shu)、失效分析(xi)、捆扎、包裝、打標志(zhi)或掛?標簽等類活動中，用(yong)手搬運機(ji)器裝運產品的活動。
3.2??縮寫詞
3.2.1????DUT??device??under??test?試驗樣品
3.2.2 ?????ESDS??electrostatic??discharge ??sensitivity?靜電(dian)放(fang)電(dian)敏感。
4??一般要求
承制(zhi)方(fang)應(ying)按本標準的(de)要求(qiu)制(zhi)訂、執(zhi)行和(he)(he)提(ti)(ti)供ESD?控(kong)制(zhi)大綱。表1中(zhong)適(shi)用(yong)的(de)控(kong)制(zhi)大綱功能?和(he)(he)要素也應(ying)用(yong)在轉承制(zhi)方(fang)和(he)(he)其他有關機(ji)構，以便(bian)為ESDS?元器件(jian)、組件(jian)和(he)(he)設備提(ti)(ti)供連續的(de)保?護(hu)。
5??詳細要求
5.1 ????ESD?控制大綱計劃
承制方應按合同或訂單要求提交一(yi)份(fen)適(shi)用(yong)的ESD?控制大綱計劃(hua)供訂購方認可。
5.1.1??????轉承(cheng)制方ESD?的控制
承制(zhi)方應(ying)保證轉承制(zhi)方制(zhi)訂并執行ESD?控制(zhi)大綱。
5.2???ESDS元器件、組件和設備的分級
承制(zhi)方應將合(he)同中(zhong)的?ESDS?元器件(jian)、組(zu)件(jian)和設備標明(ming)(ming)1級或2級，高可靠或關(guan)鍵設備的元?器件(jian)和組(zu)件(jian)，應標明(ming)(ming)3級。
5.2.1??敏感度分級
1級：易遭(zao)按5.2.1.1確定的0～1999V??ESD電壓危害的電子產品。
2 級：易遭(zao)按(an)5.2.1.1確(que)定的(de)2000～3999V??ESD電壓(ya)危害(hai)的(de)電子產(chan)品。
3級(ji)：易(yi)遭按(an)5.2.1.1確定的4000～15999V??ESD?電壓危(wei)害的電子產品。
注：在本標準里(li)，元器件(jian)、組件(jian)和設備的ESD?敏(min)感電壓為16000V?或以上者(zhe)，認為是非靜電敏(min)感產(chan)品。
5.2.1.1??元器件分級
元器件的?ESD?敏感度分級應按下列(lie)方法之一確定；
5.2.1.2 ?元器(qi)件重新分級(ji)
分級方法應(ying)寫入(ru)?ESD?控制大綱計(ji)劃，元器件的敏(min)感度比附錄B(參考件)指出的要低時，?應(ying)按(an)5.2.1.1的a?或?c?重新(xin)分級。
5.3??設計保護
組件和設(she)備(bei)的設(she)計(ji)應能(neng)為最敏感的ESD?元(yuan)器件提供ESI)?保護。其(qi)最低要求是：
組件(jian)-??2000V
設備……4000V
5.3.1 ?元(yuan)器件(jian)和組件(jian)的(de)保護
必(bi)須用1級(ji)ESDS?元器件時(shi)，組件應接入(ru)保護線(xian)路，以滿足5.3的設計(ji)要求。
5.3.2 ?設備保護
用于滿足設計規定(ding)要(yao)求的試(shi)驗方法或(huo)分析(xi)技術應(ying)得到訂購(gou)方的同意。
5.4??保護區
操(cao)作無ESD?保護(hu)罩或(huo)包裝(zhuang)的ESDS?元器件、組(zu)件或(huo)設備應在(zai)保護(hu)區(qu)里按照(zhao)ESD?保護(hu)操(cao)?作程(cheng)(cheng)序(見5.5)進行；若不(bu)可能在(zai)保護(hu)區(qu)里操(cao)作時，應采用詳細的替代操(cao)作措施和程(cheng)(cheng)序或(huo)該操(cao)?作區(qu)內的靜(jing)電(dian)電(dian)壓(ya)應低(di)干按5.2.1.1確定的相應產品敏感的最低(di)電(dian)壓(ya)。
保護(hu)區要掛有標(biao)明靜電安全工作區的(de)警示牌，未采取防靜電保護(hu)的(de)人(ren)員不得進入。
5.5??操作程序
應(ying)該研究、制訂(ding)(ding)和執(zhi)行ESD?保護的(de)操(cao)作程(cheng)序(xu)(xu)。程(cheng)序(xu)(xu)的(de)詳(xiang)細要(yao)求(qiu)取決于保護區(qu)提(ti)供的(de)控制?程(cheng)度，保護區(qu)為防(fang)靜電(dian)放(fang)電(dian)危害提(ti)供的(de)保護程(cheng)度越低，程(cheng)序(xu)(xu)應(ying)越詳(xiang)細。操(cao)作程(cheng)序(xu)(xu)應(ying)按合同或(huo)訂(ding)(ding)?單(dan)的(de)要(yao)求(qiu)提(ti)供。
5.5.1 ?設備(bei)的(de)安裝和(he)貯存(cun)
設備(bei)的(de)安裝和(he)貯(zhu)存要求如(ru)下：
5.6??保護罩
ESDS?元器件、組(zu)件處于不工作狀態或(huo)保護(hu)區外時，應該(gai)用ESID保護(hu)罩(zhao)(zhao)或(huo)包裝把他(ta)們封?閉(bi)起來?.ESDS?產(chan)品的保護(hu)罩(zhao)(zhao)應該(gai)符合5.10的要求。
5.7??訓練
對所(suo)有(you)執行或監督表1中所(suo)列(lie)內容的人員應該經常進行訓練。人員的訓練記錄應提供給
訂購方或(huo)其指(zhi)定的現場檢(jian)查(cha)代表。
5.8??硬件的標志
5.8.1??元器件
ESDS?微電路(lu)的標志(zhi)應符(fu)合GJB ??597,其他?ESDS?元器(qi)件的標志(zhi)應符(fu)合有關產品規(gui)范的規(gui) 定。
5.8.2??組作
ESDS?組件應按圖1標志。符號應標在將它裝入下一個較高層次的組件時容易看見的位?4?置上，由(you)于(yu)組件的(de)(de)尺寸(cun)或方向不能滿足這一要(yao)求時，訂購方應該(gai)同時研究和采用替代(dai)的(de)(de)
標志方式。
圖 1 ?靜電(dian)敏感符號
5.8.3??設備
含(han)(han)有(you)ESDS?元器(qi)(qi)件和組件的(de)設(she)備(bei)按圖1標(biao)志，符號應標(biao)在設(she)備(bei)的(de)外表面，而且在人員接觸(chu) 設(she)備(bei)內的(de)ESDS?元器(qi)(qi)件、組件前容易看到：并將“含(han)(han)有(you)靜電放電敏感元器(qi)(qi)件”的(de)警句標(biao)在圖1所?示符號旁邊。
5.8.3.1??設備外部端口
靜電敏(min)感符(fu)號(圖(tu)1所示)應標在(zai)設(she)備外(wai)表面上內連ESDS?元器件和組件的端口附近。
5.9??文件
5.9.1??交付文件
交付使用的文(wen)件上應(ying)將(jiang)1、2或(huo)3級ESDS?元(yuan)(yuan)器(qi)件、組(zu)件和設備及連接?ESDS?元(yuan)(yuan)器(qi)件、組(zu)件?的連接器(qi)、試驗(yan)點、端口都標上“ESDS”?字(zi)樣或(huo)圖1所(suo)示符(fu)號。文(wen)件一般(ban)應(ying)包括(kuo)成文(wen)的ESD?保(bao)?護程序。
5.9.2??可不交付文件
承制方用于執(zhi)行(xing)?ESD?控制大綱的可不交付文(wen)件(jian)(jian)(jian)上(shang)(shang)，應將1、2或3級(ji)(ji)ESDS?元器件(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)?和設備(bei)都(dou)標(biao)上(shang)(shang)“ESDS”字樣或圖(tu)1所示(shi)符(fu)號，可用明確的分級(ji)(ji)數據代替識別標(biao)志。
5.10??包裝和標志
ESDS?產品(pin)的(de)ESD?保(bao)護(hu)包(bao)裝(zhuang)應按產品(pin)規(gui)范(fan)(fan)或相(xiang)應的(de)產品(pin)包(bao)裝(zhuang)規(gui)范(fan)(fan)進行包(bao)裝(zhuang)。另外(wai)，與設(she)?備內的(de)?ESDS?元器件、組件相(xiang)連的(de)設(she)備外(wai)部端口(kou)應使(shi)用(yong)ESD?保(bao)護(hu)帽。
外包裝箱(xiang)上(shang)應標(biao)上(shang)圖(tu)1所示符號，并標(biao)上(shang)“注意：敏感電子元器(qi)件，儲運(yun)中，切勿靠近強靜?電、強電磁(ci)、磁(ci)場(chang)或(huo)放射場(chang)”的警句(ju)。
5.11??質量保證規定
為保(bao)證(zheng)符(fu)合本(ben)標準(zhun)的規定，承制方應制訂(ding)質量保(bao)證(zheng)文件，其(qi)條款(kuan)中還應包括對轉(zhuan)承制方、?銷售方執(zhi)行ESD?保(bao)護要(yao)求(qiu)進(jin)行監督和審查。
5.11.1??內部質量記錄
承(cheng)制方應該具有并保留(liu)每一項質(zhi)量評(ping)(ping)價(jia)的內(nei)部記(ji)錄，以(yi)確保與ESD?控制大綱一致。這些?記(ji)錄應說明評(ping)(ping)價(jia)日(ri)期、參(can)加者(zhe)、評(ping)(ping)價(jia)項目、評(ping)(ping)價(jia)目標(目的)、檢查(cha)出的問題以(yi)及有關建議(yi)和糾(jiu)正(zheng)?措施。
5.11.2??內部質量報告
承(cheng)制方(fang)應該(gai)具(ju)有按本標準規(gui)定進(jin)行的(de)質(zhi)量評價結論(lun)和建議的(de)內(nei)部報(bao)告。質(zhi)量評價報(bao)告應?說明進(jin)行的(de)活(huo)動，檢測出的(de)問(wen)題(ti)、必要(yao)的(de)糾正(zheng)措施(shi)、對(dui)出現質(zhi)量問(wen)題(ti)的(de)分(fen)析以及改進(jin)建議。
5.12??評審和檢查
承(cheng)制(zhi)方(fang)應(ying)該對(dui)5.12.1和(he)(he)5.12.2中各項進行評估，為(wei)(wei)正式評審和(he)(he)檢(jian)(jian)查作(zuo)好計劃和(he)(he)準備(bei)工?作(zuo)，并(bing)確(que)保要求(qiu)的文件齊(qi)全。當需要確(que)定(ding)(ding)是否(fou)與(yu)本標(biao)準規定(ding)(ding)的要求(qiu)相符(fu)時，訂購方(fang)有權檢(jian)(jian)查、評?審本標(biao)準規定(ding)(ding)的文件。承(cheng)制(zhi)方(fang)擬定(ding)(ding)的設計評審和(he)(he)計劃實施的評審都(dou)應(ying)包括(kuo)ESD?控制(zhi)大綱要?求(qiu)。訂購方(fang)或其指定(ding)(ding)代(dai)表可選擇參加評審。根據要求(qiu)，在承(cheng)制(zhi)方(fang)認為(wei)(wei)方(fang)便時，可提供評審和(he)(he)檢(jian)(jian)?查記錄。
5.12.1??設計評審
評審(shen)時，應提供與ESD?控制大綱有關的設計(ji)決(jue)策，它應包括：
a.1?、2?級?或?3?級ESDS?元器件、組件和(he)設備以及ESDS?外部端(duan)口(見(jian)5.2.1和(he)5.9)的鑒?定?；
5.12.2??計劃實施的評審
按下(xia)述(shu)內(nei)容進行評審(shen)：
a.ESD???控制大綱計劃的執行(見5.1);
g.ESDS???元器件、組(zu)件和設備的(de)保護罩和包裝(zhuang)(見5.6和5.10);
5.13??失效分析
當合同或訂單要求引用GJB??450中項目104或301時，失(shi)效(xiao)分析應包括(kuo)ESD?失(shi)效(xiao)模(mo)式、?原因及糾正(zheng)措施的建議。
附??錄??A
靜電放電敏感度分級試驗?(補充件)
A1 ??范囤
A1.1??主題內容
本附錄規(gui)定了靜電放電敏感度分級試驗(見5.2.1.1c) 的準則(ze)和程序。
A1.2????適用范圍
本(ben)附錄適用于微電子器件(jian)靜電放電敏(min)感度分級試驗，其他(ta)靜電敏(min)感元器件(jian)也(ye)可參(can)照(zhao)使用。
A2 ??元器件適用性要求
A2.1????概述
按本附錄規(gui)定進行元器件的ESDS?分級(ji)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)時，應(ying)把試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)日(ri)期(qi)通知訂(ding)購方(fang)，訂(ding)購方(fang)有權親?自觀看試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)和(he)評審試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)數據。該分級(ji)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)應(ying)視為破壞性試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)，試(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)過的元器件不能作為交貨產(chan)?品 。
A2.2????分級試驗報告
分級試驗報告應符合合同或(huo)訂貨單(dan)的要求。
A3???設備
A3.1????試驗設備
靜(jing)電(dian)(dian)放電(dian)(dian)脈沖模擬器(qi)和(he)?DUT?插座應符(fu)合圖A1 的電(dian)(dian)路，該(gai)電(dian)(dian)路能產生圖A2 所示特(te)征的?脈沖波形。
圖(tu) A1 ?????ESD分級試驗(yan)電路(人體模型(xing))
R1=10?~10?Ω??????R2=1500Ω±1%
C1=100pF±10% ???(絕緣電阻最小為1012Ω)
S1一高壓繼電(dian)器(qi)(qi)(無(wu)抖(dou)動型，水銀繼電(dian)器(qi)(qi)或等效的繼電(dian)器(qi)(qi))
S2一(yi)普通閉合開(kai)關(在脈(mo)沖放(fang)電和電容測量(liang)時斷開(kai))
注：①寄生(sheng)效應對(dui)本模擬電(dian)路有(you)強烈的影響。跨接繼電(dian)器(qi)和電(dian)阻端(duan)的電(dian)容量及線(xian)路和各元件上的電(dian)感量應減至最小。
②為(wei)防止(zhi)C1 瞬(shun)時再充電(dian)，在SI 接到充電(dian)位置時，將電(dian)源電(dian)壓調小一(yi)些(xie)。
③在(zai)校準和試驗期(qi)間，不允許變動DUT?插座。
④不允(yun)許采(cai)用(yong)換接(jie)模擬(ni)器(qi)?A、B端來獲得相反的(de)極性(xing)。
⑤CI ?代表了有效電容(見A3.3.2)。
⑥電(dian)流(liu)探針(zhen)應用(yong)雙線屏蔽電(dian)纜(lan)連接(jie)到示波器的502輸入端，電(dian)纜(lan)長度不能(neng)超過0.9m
100%
90%
368%
10%???0+
0
Tri
Tdi
圖?A2???靜(jing)電(dian)(dian)放電(dian)(dian)敏感(gan)度(du)分(fen)級試驗電(dian)(dian)流波形示意圖(人體模(mo)型(xing))
注(zhu)：①電流波(bo)形應按A4.1 ?規定的(de)程序(xu)來測量(liang)，所用設備應符(fu)合A3.1 ?的(de)要求。
②電(dian)流(liu)脈(mo)沖波形(xing)應具有下列特(te)征：
Tri????(上升時(shi)間):小于10ns
Tdi ???(衰(shuai)減時(shi)間):150±20ns
Ip???(峰值電(dian)流):表A1?中所選電(dian)壓(ya)等級對應的(de)Ip±10% ?范(fan)圍內。
Ir ???(振蕩電流):衰減應(ying)平滑，出現(xian)的(de)(de)抖動、雙(shuang)時間常數或不連續的(de)(de)值應(ying)小于Ip?最大值的(de)(de)15%,且脈(mo)沖開始100ns 后(hou)?不應(ying)觀察到，
A3.2????測量儀器
儀器包括能(neng)檢查模擬器輸(shu)出脈沖波形(xing)是否(fou)符(fu)合圖A2 要求的(de)示波器、放(fang)大器和(he)電流探(tan)針?等。
A3.2.1 ?????示波器和放大器
示波器和放大器組合電路應有最小350MHz的帶寬和最低0.25ns/cm??的掃描時基。?A3.2.2??????電流探針
電流探針(zhen)應(ying)有最小350MHz?的帶(dai)寬。
A3.2.3??????充電電壓探針
充(chong)電(dian)電(dian)壓(ya)(ya)探針應有最(zui)(zui)小1000MΩ的輸入電(dian)阻和最(zui)(zui)大4%的分壓(ya)(ya)比(bi)。
A3.3?????校驗
周(zhou)?期?性 的?校(xiao)?驗?至(zhi)?少?應?包?括?下(xia)?述 內?容?。
A3.3.1??????充電電壓
顯示模(mo)擬器充電電壓(ya)(ya)的儀表應(ying)校準(zhun)，以指示圖A1?中?C、D 兩點間(jian)的實際電壓(ya)(ya)，其值(zhi)見表?A1?的規定。
表A1模擬器充電(dian)電(dian)壓(Vs)等級與峰值電(dian)流(Ip)的關系
| 級??別 | Vs/V | Ip/A |
| 1 | 500 | 0.33 |
| 2 | 1000 | 0.67 |
| 3 | 2000 | 1.33 |
| 4 | 4000 | 2.67 |
注(zhu)?：lp?是在(zai)電流波形檢驗(yan)過(guo)程(cheng)中(zhong)流過(guo)R??的峰值電流，大(da)約(yue)為Vs/1500Ω。
A3.3.2??????有效電容量(liang)
把圖A1?中?的(de)C1?充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)到(dao)特定電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(見表A1), ?在(zai)試(shi)驗(yan)(yan)(yan)插座無試(shi)驗(yan)(yan)(yan)樣品和試(shi)驗(yan)(yan)(yan)開關斷開的(de)?情況下，把C1?所充(chong)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)到(dao)圖A1?中?A、B 兩點的(de)靜(jing)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)計(ji)、庫侖計(ji)或已(yi)校(xiao)驗(yan)(yan)(yan)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)器來(lai)測(ce)?量(liang)有(you)效(xiao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)量(liang)。在(zai)規定的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)范圍內，有(you)效(xiao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)量(liang)應(ying)是100pF±10%, ???有(you)效(xiao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)量(liang)應(ying)定期在(zai)?1000V ?電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)下進行(xing)校(xiao)驗(yan)(yan)(yan)(注意：需串聯(lian)一個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻來(lai)減慢放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)過程和得到(dao)正(zheng)確的(de)測(ce)量(liang)結果(guo))。必(bi)?要時，可采用其(qi)他等效(xiao)的(de)方法。
A3.3.3??????電流波形
對表A1?中的(de)每一級電(dian)壓分別按A4.1??所述過程測定電(dian)流(liu)波形(xing)，每一級電(dian)壓的(de)電(dian)流(liu)波形(xing)應(ying)?滿足圖A2?的(de)要求(qiu)。
A3.4?????鑒定
對新儀器或經過大修的儀器應進行驗收檢驗。檢驗應包括下述內容(但不僅限于此內容)。?A3.4.1??????電流波形檢驗
以(yi)最(zui)靠近(jin)(jin)B 端(見圖(tu)A1)?的(de)管(guan)腳(jiao)為參考點(dian)，檢(jian)驗每個管(guan)腳(jiao)上(shang)的(de)電流波(bo)形(xing)。所(suo)有波(bo)形(xing)均(jun)應滿?足圖(tu)A2 的(de)要(yao)求(qiu)。標記出顯示最(zui)差波(bo)形(xing)(接近(jin)(jin)于臨界極限)的(de)管(guan)腳(jiao)對，用于?A4.1??所(suo)要(yao)求(qiu)的(de)波(bo)形(xing)?檢(jian)查。
A4???程序
A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗
為保證模擬器正常工作，進行ESD?試驗每次換班開始或每次改變試驗插座/插板后的試?驗前均應進行電流波形檢驗。如果模擬器不滿足所有的要求，則最后一次合格檢驗后所做的所?有分類試驗都必須重做。在裝置的最初鑒定和重新鑒定時，應將按A4.1.3～A4.1.5 ?????的要求觀??察到的波形拍攝成照片，作為文件保存以供審查和比較(也可用貯存的數字化圖象代替照片)。?A4.1.1 ?????把(ba)沒有試(shi)驗樣品的(de)DUT??插座安(an)裝到(dao)模擬器上，在DUT???插座的(de)兩個(ge)管(guan)腳(jiao)孔上跨接(jie)(jie)?一段(duan)短(duan)接(jie)(jie)線(xian)，把(ba)其中一個(ge)管(guan)腳(jiao)連(lian)接(jie)(jie)到(dao)模擬器的(de)A?端，另一個(ge)管(guan)腳(jiao)連(lian)接(jie)(jie)到(dao)B 端(見(jian)圖A1)。
A4.1.2??把電(dian)流探(tan)針繞接(jie)到靠(kao)近B 端的(de)短(duan)接(jie)線下，將模擬器的(de)充電(dian)電(dian)壓源?Vs?設置到符合表?A1 中第4級的(de)4000V。
A4.1.3 ?????觸發一個模擬器(qi)脈沖并觀察電(dian)流(liu)波形(xing)的(de)前沿(yan)，電(dian)流(liu)波形(xing)應(ying)滿足圖A2?的(de)上(shang)升(sheng)時間、峰 值電(dian)流(liu)和(he)減幅振(zhen)蕩要求。
A4.1.4 ?????再次觸(chu)發模(mo)擬器脈沖，并(bing)觀(guan)察整(zheng)個電流波形，脈沖應滿足圖A2?的(de)衰減時問和減幅振
蕩要求?。
A4.1.5 ????改變(bian)電壓極性(Vs=-4000V), ???????重復A4.1.3 ??及?A4.1.4 ???過程。
A4.1.6 ?????檢查模擬(ni)器輸出，驗證每次觸(chu)(chu)(chu)發只產(chan)生一個脈沖(chong)且(qie)電(dian)容器C1?充電(dian)時沒有脈沖(chong)輸出。?為觀(guan)察再充電(dian)的(de)瞬態(tai)過(guo)程，將觸(chu)(chu)(chu)發器設置(zhi)在相反極性，并(bing)將示波(bo)器的(de)垂直靈(ling)敏度(du)提高(gao)約10倍，?然后觸(chu)(chu)(chu)發模擬(ni)器。
A4.2????分級試驗
A4.2.1 ?????試(shi)驗(yan)前和試(shi)驗(yan)過程中每個器件均(jun)應保持在室溫。
A4.2.2 ????取一個(ge)試(shi)驗(yan)(yan)樣(yang)(yang)(yang)品(pin)(pin)按表(biao)A1?所(suo)示的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)等級(ji)(ji)來確定該器(qi)件(jian)靜電(dian)(dian)放(fang)電(dian)(dian)的失效電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)值。對?帶火花隙(xi)保(bao)護的器(qi)件(jian)，試(shi)驗(yan)(yan)必須從表(biao)A1?所(suo)示的最低電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)級(ji)(ji)開始，除(chu)此之外，試(shi)驗(yan)(yan)可(ke)(ke)從任何電(dian)(dian)?壓(ya)(ya)(ya)級(ji)(ji)開始。用圖示儀測(ce)試(shi)試(shi)樣(yang)(yang)(yang)的輸入或輸出的?V/I??損傷特性或用其他(ta)簡單的試(shi)驗(yan)(yan)技術確認電(dian)(dian) 壓(ya)(ya)(ya)值(例如，累(lei)積損傷效應可(ke)(ke)能因(yin)在失效電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)級(ji)(ji)下選用新的樣(yang)(yang)(yang)品(pin)(pin)重新試(shi)驗(yan)(yan)而被忽(hu)略，使樣(yang)(yang)(yang)品(pin)(pin)可(ke)(ke)?能通過這一電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)級(ji)(ji)的試(shi)驗(yan)(yan))。
A4.2.3 ????選取一組三個試(shi)(shi)(shi)驗樣品(pin)，按(an)表A1?在低于A4.2.2 ???確定失效電(dian)壓值的(de)電(dian)壓等級下進??行(xing)試(shi)(shi)(shi)驗。每個試(shi)(shi)(shi)驗樣品(pin)都(dou)應按(an)表A2?所示的(de)各個管腳組合進行(xing)三次正(zheng)脈沖(chong)(chong)和三次負脈沖(chong)(chong)試(shi)(shi)(shi)驗。 脈沖(chong)(chong)間隔最少為1s。
表?A2 ???試驗的管腳(jiao)組合(he)1
| A端(下列各個管腳依次接?到A端，其他管腳懸空) | B端(所有各類同名管腳聯?在一起接到B端) | |
| 1 | 除Vs外的所有管腳2) | 所?有?V?管?腳 |
| 2 | 所有輸入和輸出管腳 | 所有其他的輸入和輸出管腳 |
注(zhu)：①表A2的說明見A4.3。
1)不(bu)連接的管(guan)腳是不(bu)被試驗的。
2)對各類電源腳和(he)地，重復管腳組(zu)合1的試(shi)驗(如(ru)Vs 是Vbu、Vcc、Vss、VBe、GND.+Vs’、VREF等)。
A4.2.4 ????試驗樣品按適用的1和7組進行電性能測試(室溫下的直流參數和功能參數測試)。?A4.2.5 ?????如(ru)果有一個以上的(de)試驗(yan)樣品(pin)失效，用三個新的(de)試驗(yan)樣品(pin)，在比所用電壓(ya)等級更低(di)的(de)?電壓(ya)下重(zhong)復A4.2.3???和?A4.2.4。
A4.2.6 ?????如果(guo)三個試驗樣(yang)品沒(mei)有(you)一個失(shi)效(xiao)，記下A4.2.2 ??所確定的失(shi)效(xiao)電(dian)壓值。
A4.3????試驗的管腳組合
A4.3.1 ?????各(ge)個管(guan)腳(jiao)(jiao)依次(ci)接(jie)到(dao)A?端(duan)，相(xiang)(xiang)應(ying)器件的(de)地腳(jiao)(jiao)接(jie)到(dao)B 端(duan)。除被試(shi)的(de)管(guan)腳(jiao)(jiao)和地腳(jiao)(jiao)外，其(qi)它所?有管(guan)腳(jiao)(jiao)懸(xuan)空(kong)。相(xiang)(xiang)應(ying)各(ge)個不同類的(de)所有電(dian)源腳(jiao)(jiao)(如Vss或(huo)(huo)?Vs? 或(huo)(huo)V??或(huo)(huo) Vc ?或(huo)(huo)Vec2聯(lian)在一起接(jie)到(dao)?B?端(duan)。除被試(shi)的(de)管(guan)腳(jiao)(jiao)和電(dian)源腳(jiao)(jiao)外，其(qi)他(ta)管(guan)腳(jiao)(jiao)都懸(xuan)空(kong)。
A4.3.2??????各個管腳(jiao)依(yi)次接到A 端
A4.3.3??各個輸(shu)入和輸(shu)出管腳依次接到A?端，相應所有(you)其(qi)他輸(shu)入和輸(shu)出管腳聯在一起接到B
端。除(chu)被試(shi)的輸入和輸出管(guan)(guan)腳(jiao)以(yi)及(ji)所(suo)有(you)其他輸入和輸出管(guan)(guan)腳(jiao)外，其他所(suo)有(you)管(guan)(guan)腳(jiao)都(dou)懸(xuan)空。
A5 ????說?明
下(xia)列內容應在(zai)(zai)訂貨單(dan)或合同中規(gui)定，或在(zai)(zai)其(qi)他場合明確規(gui)定。
A5.1??試(shi)驗后電性能(neng)測(ce)試(shi)結(jie)果
A5.2 ????采用的特殊條(tiao)件(jian)或代用的管腳(jiao)組合。
A5.3?????試樣數量(試樣不是(shi)3個時)。
附??錄??B???ESDS?元器件? (參考件)
B1??范圍
本附錄確(que)定了適用本標準(zhun)ESD?控制大綱(gang)要求的(de)1、2和3級(ji)元(yuan)器(qi)件。
B2?元器件適用性要求
B2.1 ???適用于本標(biao)準的ESDS?元器(qi)件(jian)(jian)列于表B1,?這些元器(qi)件(jian)(jian)根(gen)據元器(qi)件(jian)(jian)類型和敏感度范(fan)圍來?分?級(ji)?。
B3???詳細要求
B3.1????1、2和3級元器件
表(biao)B1?說明(ming)了(le)1、2和3級元器件類(lei)型(見5.2)。這種分級的(de)依據(ju)(ju)是給定元器件類(lei)型中有代?表(biao)性元器件的(de)試驗數據(ju)(ju)和報告。元器件設(she)計、加工技術或保護(hu)電路的(de)差(cha)異可能(neng)導致(zhi)元器件不在?表(biao)?B1 規定的(de)范圍內。
B3.2????元器件類型分級
必要(yao)時，附錄(lu)A(補充件)的試(shi)驗數(shu)據可取代表B1的元器(qi)件類型分級。
表?B1???按元器件類型列出的ESDS 元器件
| 1級：敏感電壓范圍0～1999V?元?器?件?類?型 |
| 微波器件(肖特基勢壘二極管、點接觸二極管和其他工作頻率大于1GHz的檢測二極管 |
| 離散型MOS場效應晶體管 |
| 聲表面波(SAW)器件 |
| 結型場效應晶體管(JEETs) |
| 電荷耦合器件(CCDs) |
| 精密穩壓二極管(線或加載電壓穩定(0.5%)) |
| 運算放大器(OP?AMPs) |
| 薄膜電阻器 |
| 集成電路 |
| 使用1級元器件的混合電路 |
| 超高速集成電路(VHSIC) |
| 環境溫度100℃時，?I??<0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
續表B1
| 2級：敏感電壓范圍2000～3999V?元?器?件?類?型 |
| 由(you)附錄A(補(bu)充件)試(shi)驗數(shu)據確定為2級的(de)元器(qi)件和微(wei)電路?離散型MOS場效應晶體管
結(jie)型場效應(ying)晶體管(guan)(JEETs) 運算放大器(OP?AMPs) 集成電路(ICs) 超高速集成電路(VHSIC) |
| 精密電阻網絡(R2) |
| 使用2級元器件的混合電路 |
| 低功率雙極型晶體管，P≤100mW,Ic<100mA |
| 3級：敏感電壓范圍4000～15999V?元?器?件?類?型 |
| 由附錄A(補充件)試驗數據確定為3級的元器件和微電路： |
| 離散型MOS場效應晶體(ti)管?運算放大器(OP?AMPs)??集成電路(ICs)
超高速集成電路(VHSIC) |
| 所有不包括在1級或2級中的其他微電路 |
| Po<1W或I??<1A的小信號二極管 |
| 普通要求的硅整流器 |
| I??>0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
| 350mW>Pa>100mWH400mA>I:>100mA的低功率雙極型晶體管 |
| 光電器件(發光二極管、光敏器件、光耦合器) |
| 片狀電阻器 |
| 使用3級元器件的混合電路 |
| 壓電晶體 |
附??錄??C
靜電敏感符號的顏色和比例尺寸
(補充件)
C1??顏色
靜電敏感符號可以用(yong)與底色有明(ming)顯對(dui)比的任何顏色單(dan)色標注(zhu)。?建議在黃色底上(shang)采用(yong)黑色的符號；盡(jin)量避免采用(yong)紅色。
C2???比例尺寸
如果(guo)標記位置(zhi)允許(xu)，應按(an)圖Cla??所(suo)示(shi)的(de)(de)基本(ben)符(fu)號進行標注(zhu)。?需要時，也可(ke)以采用圖C1b?所(suo)示(shi)的(de)(de)按(an)比例(li)縮小(xiao)的(de)(de)簡化符(fu)號。
圖?Cla??????基本符(fu)號
圖?C1b??按比(bi)例縮小的簡化符號
附加說明：
本(ben)標準由(you)中國電子工業(ye)總(zong)公(gong)司提出。
本標準由(you)機(ji)械電(dian)子部標準化研(yan)究所歸(gui)口。
本(ben)標(biao)準由機械電(dian)子(zi)部標(biao)準化研究所、電(dian)子(zi)基礎產品裝(zhuang)備公司起草。??本(ben)標(biao)準主要起草人：方麗娜、徐(xu)云、林(lin)文荻、王瑞鋒(feng)、穆(mu)祥鎮(zhen)、李自強(qiang)。
計劃項目代(dai)號：90151。