中華人民共和國國家軍用標準
FL 0111 ???????????????????????????????????????????????????????????????GJB ????1649-93
電子產品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ????for ????protcction?????of
electronic products
1993—09—30發布?????????????????????????????1994—06—01實施
國防科學技術工業委員會??批準
目??次
附錄C ??靜電敏感符號的顏色和比例尺寸(參考件) ?(?14)
中?華?人?民?共?和?國?國?家?軍?用?標?準
電子產品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ?for ?protection ?of
elecfronic ??products
GJB??????1649·93
1??范圍
1.1??主題內容
本標準規定(ding)了靜電敏感(gan)電子(zi)產(chan)品的靜電放電控(kong)制要素。還(huan)規定(ding)了質量保證規定(ding)、資(zi)料要 求(qiu)、檢查及評審(shen)等內容。
1.2??適用范圍
本(ben)標準(zhun)適(shi)用于(yu)從事表1所列功能的機構、承制(zhi)方、轉承制(zhi)方。
本(ben)(ben)標(biao)(biao)準的(de)某些部分(fen)不(bu)適用于(yu)所有的(de)訂購方或使用方，訂購方應(ying)按(an)本(ben)(ben)標(biao)(biao)準規(gui)定出相應(ying)的(de)要?求。
本標準不(bu)適用于電觸發引爆裝置，也不(bu)適用元器件(jian)的設計要(yao)求。
1.3??應用指南
本標準可(ke)以(yi)剪裁，承制(zhi)方(fang)應為(wei)訂(ding)購方(fang)選定表1中合適的控(kong)制(zhi)大(da)綱功能(neng)和要素，并經訂(ding)購方(fang)?認(ren)可(ke)。
1.3.1 ???????當訂購方指明產品(pin)是重(zhong)點工程(cheng)中的關鍵件(jian)時，其?ESD?控(kong)制大(da)綱還(huan)應(ying)包(bao)括(kuo)3級靜電放?電敏感元(yuan)器件(jian)、組(zu)件(jian)和設備(見5.2.1)。
1.3.2 ???????對承制方(fang)沒有執行?ESD??控制大綱的元器件、組件和設備(bei)，訂購(gou)方(fang)可以拒收或另行采(cai)?購(gou)。
2??引用文件
GJB450???????88 ???裝備(bei)研(yan)制與(yu)生產(chan)的可靠性通用大綱(gang)
GJB??597-88??微電路總規范
3??定義
3.1??術語
3.1.1 ??????靜電放電 ?electrostatic ???????discharge(ESD)
兩個具(ju)有(you)不(bu)同靜電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)位的(de)物(wu)(wu)體(ti)，由于(yu)直接接觸或靜電(dian)(dian)(dian)場感應引起的(de)兩物(wu)(wu)體(ti)間的(de)靜電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)荷?的(de)轉(zhuan)移。
3.1.2??????接地 ?grounding
國防科學技術工業委員會1993-09-30發布??????????????????????1994-06-01實施
表1 ESD控制大綱(gang)要求(qiu)要素
|
要?素
功?能 |
ESD 控制大?綱計劃 |
分???????級 |
設計保
護(不 包括零 件設計) |
保?護?區 | 操?作?程?序 | 保?護?罩 | 訓????????練 | 硬?件?標?記 | 文??????件 |
包???????裝 |
質量保證規定?檢查和評審 |
失?效?分?析 |
| 見?5?.?1 | 見5.2 | 見5.3 | 見5.4 | .
見5.5 |
見?5?.?6 | 見5.7 | 見?5?.?8 | 見?5?.?9 | 見5.10 | 見5.11,5.12 | 見5.13 | |
| 設??計 | √ | √ | √ | √ | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | V | |
| 生??產 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 檢查和試驗 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
| 貯存和運輸 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 安??裝 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 維護和修理 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
注：“?√?”表示考慮(lv)；“一”表示不(bu)考慮(lv)。
電氣連接(jie)到能(neng)供給或接(jie)受大(da)量電荷的物體(ti)(如大(da)地(di)、艦船或運載工具(ju)外殼等)。
3.1.3 ?????操作(zuo) ?handling
在檢查(cha)、制(zhi)造(zao)、裝(zhuang)配(pei)、試驗(yan)、修(xiu)理、返工、維護、安(an)裝(zhuang)、運輸、失效(xiao)分(fen)析、捆扎、包(bao)裝(zhuang)、打標志或掛?標簽(qian)等類(lei)活(huo)動中，用手搬運機器裝(zhuang)運產品的(de)活(huo)動。
3.2??縮寫詞
3.2.1????DUT??device??under??test?試驗樣品
3.2.2 ?????ESDS??electrostatic??discharge ??sensitivity?靜(jing)電放電敏感。
4??一般要求
承(cheng)制方(fang)應(ying)按本標準的(de)要(yao)求制訂、執行(xing)和提(ti)供ESD?控制大(da)綱。表1中適(shi)用(yong)(yong)的(de)控制大(da)綱功能?和要(yao)素也(ye)應(ying)用(yong)(yong)在轉承(cheng)制方(fang)和其他(ta)有關(guan)機構(gou)，以便為ESDS?元器件、組件和設備提(ti)供連續的(de)保(bao)?護。
5??詳細要求
5.1 ????ESD?控制大綱計劃
承制(zhi)方(fang)應按(an)合同(tong)或(huo)訂(ding)單要(yao)求提(ti)交一(yi)份適用的ESD?控制(zhi)大綱計劃供訂(ding)購方(fang)認可(ke)。
5.1.1??????轉(zhuan)承制(zhi)方ESD?的控(kong)制(zhi)
承制方應保證轉承制方制訂并執行ESD?控制大綱。
5.2???ESDS元器件、組件和設備的分級
承制(zhi)方應將合同中的(de)?ESDS?元(yuan)器(qi)件(jian)、組件(jian)和設備標明(ming)1級或(huo)2級，高可(ke)靠或(huo)關鍵設備的(de)元(yuan)?器(qi)件(jian)和組件(jian)，應標明(ming)3級。
5.2.1??敏感度分級
1級：易(yi)遭按5.2.1.1確(que)定的0～1999V??ESD電壓(ya)危害的電子產(chan)品。
2 級(ji)：易遭(zao)按5.2.1.1確(que)定的2000～3999V??ESD電壓危害的電子(zi)產品(pin)。
3級：易遭按(an)5.2.1.1確定的(de)4000～15999V??ESD?電(dian)壓危害的(de)電(dian)子產品。
注：在本標準里，元器(qi)件、組件和設(she)備的(de)ESD?敏(min)感電壓為(wei)(wei)16000V?或(huo)以上者，認(ren)為(wei)(wei)是(shi)非靜電敏(min)感產(chan)品。
5.2.1.1??元器件分級
元器(qi)件的?ESD?敏感度分級應按下列(lie)方(fang)法之一(yi)確定；
5.2.1.2 ?元器(qi)件重(zhong)新(xin)分級
分(fen)(fen)級方法應寫(xie)入?ESD?控制大綱計劃，元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)敏感度比(bi)附錄B(參考件(jian))指出的(de)要低時(shi)，?應按5.2.1.1的(de)a?或(huo)?c?重新分(fen)(fen)級。
5.3??設計保護
組(zu)件和設備的設計應能(neng)為最敏感的ESD?元器件提供ESI)?保護(hu)。其最低(di)要求是(shi)：
組件-??2000V
設備……4000V
5.3.1 ?元(yuan)器件和(he)組件的保(bao)護
必須用(yong)1級ESDS?元器件(jian)時，組件(jian)應接入保護線(xian)路(lu)，以滿足5.3的設(she)計要求。
5.3.2 ?設備保護
用于滿足(zu)設計規定要求的(de)試(shi)驗方(fang)法或(huo)分(fen)析技術(shu)應得到訂購方(fang)的(de)同意。
5.4??保護區
操作(zuo)無ESD?保護(hu)罩或包(bao)裝的(de)ESDS?元(yuan)器件(jian)、組件(jian)或設備應在(zai)(zai)保護(hu)區里按照ESD?保護(hu)操?作(zuo)程序(xu)(見5.5)進(jin)行；若(ruo)不可能在(zai)(zai)保護(hu)區里操作(zuo)時，應采用詳(xiang)細的(de)替代操作(zuo)措施和(he)程序(xu)或該操?作(zuo)區內的(de)靜(jing)電(dian)電(dian)壓應低(di)干按5.2.1.1確定的(de)相(xiang)應產品(pin)敏感(gan)的(de)最(zui)低(di)電(dian)壓。
保護(hu)區(qu)要掛有標明靜電(dian)安全工作區(qu)的警示牌，未采取(qu)防靜電(dian)保護(hu)的人(ren)員(yuan)不得(de)進(jin)入(ru)。
5.5??操作程序
應該(gai)研(yan)究、制(zhi)訂和執行(xing)ESD?保護(hu)(hu)的(de)操(cao)(cao)作(zuo)程(cheng)(cheng)序。程(cheng)(cheng)序的(de)詳細要求(qiu)取決(jue)于保護(hu)(hu)區(qu)提(ti)供(gong)(gong)的(de)控制(zhi)?程(cheng)(cheng)度(du)，保護(hu)(hu)區(qu)為防靜(jing)電放(fang)電危害提(ti)供(gong)(gong)的(de)保護(hu)(hu)程(cheng)(cheng)度(du)越低，程(cheng)(cheng)序應越詳細。操(cao)(cao)作(zuo)程(cheng)(cheng)序應按合(he)同或訂?單的(de)要求(qiu)提(ti)供(gong)(gong)。
5.5.1 ?設備的安裝和貯存
設備的(de)安裝(zhuang)和貯(zhu)存要求如下：
5.6??保護罩
ESDS?元器件、組件處(chu)于不(bu)工作狀態(tai)或保護(hu)區外時，應(ying)(ying)該用ESID保護(hu)罩或包裝把他們封?閉起來?.ESDS?產品的(de)保護(hu)罩應(ying)(ying)該符(fu)合5.10的(de)要求。
5.7??訓練
對所有(you)執(zhi)行或監(jian)督表1中所列內容的人員應(ying)該(gai)經常(chang)進行訓(xun)練(lian)。人員的訓(xun)練(lian)記錄應(ying)提供給
訂購方或其指定的(de)現(xian)場檢查代表。
5.8??硬件的標志
5.8.1??元器(qi)件
ESDS?微電路的(de)標(biao)(biao)志(zhi)應符(fu)合GJB ??597,其他?ESDS?元器件的(de)標(biao)(biao)志(zhi)應符(fu)合有關(guan)產(chan)品規范的(de)規 定。
5.8.2??組作
ESDS?組件應按圖1標志。符號應標在將它裝入下一個較高層次的組件時容易看見的位?4?置上，由于組(zu)件(jian)的尺寸(cun)或方向不能(neng)滿足這(zhe)一要求時(shi)，訂購方應該(gai)同時(shi)研究和采(cai)用替代的
標志方式。
圖 1 ?靜(jing)電敏感符號
5.8.3??設備
含有ESDS?元器(qi)(qi)件(jian)和組(zu)件(jian)的設備(bei)(bei)按圖1標志(zhi)，符(fu)號應標在(zai)設備(bei)(bei)的外表面，而且在(zai)人員接觸 設備(bei)(bei)內的ESDS?元器(qi)(qi)件(jian)、組(zu)件(jian)前(qian)容易看到(dao)：并(bing)將“含有靜電(dian)放電(dian)敏感元器(qi)(qi)件(jian)”的警句(ju)標在(zai)圖1所?示符(fu)號旁邊。
5.8.3.1??設備外部端口
靜電敏感符(fu)號(圖1所示)應標在(zai)設(she)備外表(biao)面上內(nei)連ESDS?元器件和組件的端口(kou)附近。
5.9??文件
5.9.1??交付文件
交(jiao)付使用的文件上應將(jiang)1、2或3級ESDS?元(yuan)(yuan)器件、組件和設備(bei)及連接(jie)?ESDS?元(yuan)(yuan)器件、組件?的連接(jie)器、試驗點、端口都標(biao)上“ESDS”?字樣或圖1所示符號。文件一般應包括成文的ESD?保?護(hu)程序。
5.9.2??可不交付文件
承制(zhi)方用于執行(xing)?ESD?控制(zhi)大綱的(de)可(ke)不交付文件上(shang)，應(ying)將1、2或(huo)3級(ji)ESDS?元器件、組件?和設備都(dou)標上(shang)“ESDS”字(zi)樣或(huo)圖1所示(shi)符號，可(ke)用明確的(de)分級(ji)數據代替(ti)識別標志。
5.10??包裝和標志
ESDS?產(chan)品的(de)ESD?保護包裝應按(an)產(chan)品規(gui)范或相應的(de)產(chan)品包裝規(gui)范進行包裝。另外，與(yu)設?備內的(de)?ESDS?元器(qi)件、組件相連的(de)設備外部端口應使用ESD?保護帽。
外包裝(zhuang)箱上應標(biao)(biao)上圖1所(suo)示符號，并標(biao)(biao)上“注意(yi)：敏感電子元器(qi)件，儲運中，切勿(wu)靠近強靜?電、強電磁(ci)、磁(ci)場或放射場”的警(jing)句。
5.11??質量保證規定
為(wei)保證(zheng)符合本標準的規定(ding)，承制方應(ying)制訂質量保證(zheng)文件，其條款(kuan)中(zhong)還應(ying)包括(kuo)對轉承制方、?銷售方執行ESD?保護要求進行監督和(he)審(shen)查。
5.11.1??內部質量記錄
承制方應該具有(you)并(bing)保留每一項質量(liang)評(ping)價(jia)的(de)內部記錄，以確保與ESD?控(kong)制大綱一致。這些?記錄應說明評(ping)價(jia)日(ri)期、參(can)加者(zhe)、評(ping)價(jia)項目、評(ping)價(jia)目標(目的(de))、檢查出的(de)問題以及有(you)關建議(yi)和(he)糾(jiu)正?措施(shi)。
5.11.2??內部質量報告
承(cheng)制(zhi)方應該具有按本標準(zhun)規定進行(xing)的(de)(de)(de)(de)質量評價(jia)結論和建議的(de)(de)(de)(de)內部報告。質量評價(jia)報告應?說明進行(xing)的(de)(de)(de)(de)活動，檢測出的(de)(de)(de)(de)問題(ti)、必要的(de)(de)(de)(de)糾正措施、對出現質量問題(ti)的(de)(de)(de)(de)分析以及改進建議。
5.12??評審和檢查
承制(zhi)(zhi)方(fang)應(ying)該對5.12.1和5.12.2中各項進行評(ping)(ping)估(gu)，為(wei)正式(shi)評(ping)(ping)審(shen)(shen)(shen)和檢(jian)查(cha)(cha)作好計劃和準備工?作，并確(que)保要求的(de)(de)(de)文件齊全。當(dang)需(xu)要確(que)定(ding)是否與本標準規(gui)定(ding)的(de)(de)(de)要求相符時，訂購(gou)方(fang)有權檢(jian)查(cha)(cha)、評(ping)(ping)?審(shen)(shen)(shen)本標準規(gui)定(ding)的(de)(de)(de)文件。承制(zhi)(zhi)方(fang)擬(ni)定(ding)的(de)(de)(de)設計評(ping)(ping)審(shen)(shen)(shen)和計劃實施的(de)(de)(de)評(ping)(ping)審(shen)(shen)(shen)都應(ying)包(bao)括ESD?控制(zhi)(zhi)大綱要?求。訂購(gou)方(fang)或(huo)其指定(ding)代表(biao)可(ke)(ke)選擇(ze)參加(jia)評(ping)(ping)審(shen)(shen)(shen)。根據要求，在(zai)承制(zhi)(zhi)方(fang)認為(wei)方(fang)便時，可(ke)(ke)提供評(ping)(ping)審(shen)(shen)(shen)和檢(jian)?查(cha)(cha)記錄。
5.12.1??設計評審
評審(shen)時，應提(ti)供與ESD?控制(zhi)大綱有關的設計決策，它(ta)應包(bao)括：
a.1?、2?級(ji)?或?3?級(ji)ESDS?元器件、組件和設(she)備以(yi)及(ji)ESDS?外部端口(見5.2.1和5.9)的鑒?定(ding)?；
5.12.2??計劃實施的評審
按下述內容進行評審：
a.ESD???控制大綱計劃的(de)執(zhi)行(見5.1);
g.ESDS???元器(qi)件、組件和(he)設備的保護(hu)罩(zhao)和(he)包(bao)裝(見(jian)5.6和(he)5.10);
5.13??失效分析
當(dang)合同(tong)或訂單(dan)要(yao)求引用GJB??450中(zhong)項(xiang)目104或301時，失效(xiao)分析(xi)應包括ESD?失效(xiao)模(mo)式、?原(yuan)因及(ji)糾(jiu)正措施(shi)的建議。
附??錄??A
靜電放電敏感度分級試驗?(補充件)
A1 ??范囤
A1.1??主題內容
本附錄規定了靜電(dian)放電(dian)敏感度分(fen)級試驗(見(jian)5.2.1.1c) 的準則和程序。
A1.2????適用范圍
本附錄適用(yong)于微(wei)電子器件靜電放電敏感(gan)(gan)度分級試驗，其他靜電敏感(gan)(gan)元器件也可參照使(shi)用(yong)。
A2 ??元器件適用性要求
A2.1????概述
按本附錄規定進(jin)行元(yuan)器(qi)件(jian)的ESDS?分級(ji)試(shi)驗(yan)(yan)時(shi)，應把試(shi)驗(yan)(yan)日期(qi)通知訂購方，訂購方有權親(qin)?自觀(guan)看試(shi)驗(yan)(yan)和評審(shen)試(shi)驗(yan)(yan)數據。該分級(ji)試(shi)驗(yan)(yan)應視為破壞性試(shi)驗(yan)(yan)，試(shi)驗(yan)(yan)過的元(yuan)器(qi)件(jian)不能作為交(jiao)貨產?品 。
A2.2????分級試驗報告
分級試驗(yan)報告應符(fu)合合同(tong)或訂貨單的要求。
A3???設備
A3.1????試驗設備
靜(jing)電(dian)放(fang)電(dian)脈沖模擬器和?DUT?插座(zuo)應(ying)符合(he)圖A1 的(de)(de)電(dian)路，該電(dian)路能產生圖A2 所示特(te)征的(de)(de)?脈沖波形。
圖(tu) A1 ?????ESD分級試驗(yan)電路(人體模型(xing))
R1=10?~10?Ω??????R2=1500Ω±1%
C1=100pF±10% ???(絕緣(yuan)電阻最小為1012Ω)
S1一(yi)高壓繼(ji)電器(qi)(無(wu)抖動型，水(shui)銀繼(ji)電器(qi)或等(deng)效的繼(ji)電器(qi))
S2一(yi)普通閉合開關(在脈沖放電和電容測(ce)量時斷開)
注：①寄生效(xiao)應對(dui)本模擬電(dian)路有強(qiang)烈(lie)的(de)影響。跨接繼電(dian)器(qi)和電(dian)阻端的(de)電(dian)容量及(ji)線路和各元件上的(de)電(dian)感量應減至最小。
②為(wei)防止C1 瞬時再充電(dian)，在(zai)SI 接到充電(dian)位置(zhi)時，將(jiang)電(dian)源電(dian)壓調小一些(xie)。
③在校準和試(shi)驗期間，不允許變動DUT?插座。
④不(bu)允許采用換接模擬器?A、B端來獲得相反(fan)的極性(xing)。
⑤CI ?代表了有效電容(見A3.3.2)。
⑥電(dian)流探針應(ying)用雙線(xian)屏蔽電(dian)纜連接到示波器的502輸(shu)入端，電(dian)纜長度不能超過0.9m
100%
90%
368%
10%???0+
0
Tri
Tdi
圖?A2???靜電放電敏感度分級試驗電流波形示意圖(人(ren)體模型)
注(zhu)：①電流波形應按A4.1 ?規定的(de)程序來測量(liang)，所用(yong)設備應符合A3.1 ?的(de)要求(qiu)。
②電(dian)流脈沖(chong)波(bo)形應具(ju)有下列特征(zheng)：
Tri????(上升時間):小(xiao)于10ns
Tdi ???(衰減(jian)時間):150±20ns
Ip???(峰值電(dian)流):表A1?中所選電(dian)壓(ya)等級對應的Ip±10% ?范圍內(nei)。
Ir ???(振蕩(dang)電流):衰減(jian)應平滑，出現的(de)(de)抖動、雙時(shi)間常數(shu)或(huo)不連續(xu)的(de)(de)值應小于Ip?最大值的(de)(de)15%,且脈(mo)沖開始100ns 后?不應觀(guan)察到，
A3.2????測量儀器
儀器(qi)(qi)包括能檢(jian)查模擬器(qi)(qi)輸出脈沖波形是否符合(he)圖A2 要求(qiu)的示波器(qi)(qi)、放大(da)器(qi)(qi)和電流探針?等。
A3.2.1 ?????示波器和放大器
示波器和放大器組合電路應有最小350MHz的帶寬和最低0.25ns/cm??的掃描時基。?A3.2.2??????電流探針
電流探針應有最小350MHz?的(de)帶(dai)寬。
A3.2.3??????充電電壓探針
充電電壓探針(zhen)應(ying)有最小1000MΩ的輸入(ru)電阻(zu)和(he)最大4%的分(fen)壓比(bi)。
A3.3?????校驗
周?期?性 的?校?驗(yan)?至?少(shao)?應?包?括?下?述 內(nei)?容?。
A3.3.1??????充電電壓
顯示模擬器(qi)充電電壓(ya)的儀(yi)表應校準，以指示圖(tu)A1?中?C、D 兩點間的實際電壓(ya)，其值見表?A1?的規(gui)定。
表A1模擬器(qi)充電(dian)電(dian)壓(Vs)等級(ji)與(yu)峰值(zhi)電(dian)流(Ip)的(de)關(guan)系
| 級??別 | Vs/V | Ip/A |
| 1 | 500 | 0.33 |
| 2 | 1000 | 0.67 |
| 3 | 2000 | 1.33 |
| 4 | 4000 | 2.67 |
注?：lp?是(shi)在電流(liu)(liu)波(bo)形檢驗過程中流(liu)(liu)過R??的峰(feng)值(zhi)電流(liu)(liu)，大約為(wei)Vs/1500Ω。
A3.3.2??????有效電容量
把(ba)圖(tu)A1?中(zhong)?的(de)(de)(de)C1?充電(dian)(dian)到(dao)特定電(dian)(dian)壓(ya)(見表A1), ?在(zai)(zai)試(shi)驗(yan)插座無(wu)試(shi)驗(yan)樣品和(he)試(shi)驗(yan)開關斷開的(de)(de)(de)?情況(kuang)下，把(ba)C1?所(suo)充的(de)(de)(de)電(dian)(dian)荷放(fang)電(dian)(dian)到(dao)圖(tu)A1?中(zhong)?A、B 兩點的(de)(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)計、庫(ku)侖(lun)計或已校(xiao)(xiao)驗(yan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)器來測(ce)?量(liang)有效(xiao)(xiao)電(dian)(dian)容(rong)(rong)量(liang)。在(zai)(zai)規定的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)范圍內，有效(xiao)(xiao)電(dian)(dian)容(rong)(rong)量(liang)應(ying)是100pF±10%, ???有效(xiao)(xiao)電(dian)(dian)容(rong)(rong)量(liang)應(ying)定期在(zai)(zai)?1000V ?電(dian)(dian)壓(ya)下進行校(xiao)(xiao)驗(yan)(注意：需(xu)串聯一個電(dian)(dian)阻來減慢放(fang)電(dian)(dian)過程(cheng)和(he)得到(dao)正確(que)的(de)(de)(de)測(ce)量(liang)結(jie)果)。必?要時，可采(cai)用其他等效(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)方(fang)法。
A3.3.3??????電流波形
對表(biao)A1?中的每一級(ji)電(dian)壓(ya)分別按A4.1??所述過程測定電(dian)流波形，每一級(ji)電(dian)壓(ya)的電(dian)流波形應?滿足圖A2?的要求。
A3.4?????鑒定
對新儀器或經過大修的儀器應進行驗收檢驗。檢驗應包括下述內容(但不僅限于此內容)。?A3.4.1??????電流波形檢驗
以最靠近(jin)(jin)B 端(duan)(見圖A1)?的(de)管(guan)腳為參考(kao)點，檢驗每個管(guan)腳上的(de)電流波(bo)形(xing)。所(suo)有波(bo)形(xing)均應滿?足圖A2 的(de)要求(qiu)。標記出顯示最差波(bo)形(xing)(接近(jin)(jin)于臨界極(ji)限)的(de)管(guan)腳對，用于?A4.1??所(suo)要求(qiu)的(de)波(bo)形(xing)?檢查。
A4???程序
A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗
為保證模擬器正常工作，進行ESD?試驗每次換班開始或每次改變試驗插座/插板后的試?驗前均應進行電流波形檢驗。如果模擬器不滿足所有的要求，則最后一次合格檢驗后所做的所?有分類試驗都必須重做。在裝置的最初鑒定和重新鑒定時，應將按A4.1.3～A4.1.5 ?????的要求觀??察到的波形拍攝成照片，作為文件保存以供審查和比較(也可用貯存的數字化圖象代替照片)。?A4.1.1 ?????把(ba)沒有試驗樣品的DUT??插座安裝到(dao)模擬器(qi)上，在DUT???插座的兩個(ge)管腳(jiao)孔(kong)上跨接(jie)?一(yi)段短(duan)接(jie)線(xian)，把(ba)其中一(yi)個(ge)管腳(jiao)連(lian)接(jie)到(dao)模擬器(qi)的A?端，另一(yi)個(ge)管腳(jiao)連(lian)接(jie)到(dao)B 端(見圖A1)。
A4.1.2??把電流探針繞接到靠近(jin)B 端的(de)短接線下，將(jiang)模擬器的(de)充電電壓(ya)源?Vs?設置到符合表?A1 中(zhong)第4級的(de)4000V。
A4.1.3 ?????觸發(fa)一個模擬器脈沖(chong)并觀(guan)察(cha)電流(liu)(liu)波(bo)形(xing)的前沿，電流(liu)(liu)波(bo)形(xing)應滿足圖A2?的上升(sheng)時(shi)間、峰 值(zhi)電流(liu)(liu)和減幅(fu)振(zhen)蕩要求。
A4.1.4 ?????再次(ci)觸發模擬器脈(mo)沖(chong)，并觀察整個電(dian)流波形，脈(mo)沖(chong)應(ying)滿足(zu)圖A2?的衰減時問(wen)和減幅振
蕩要求?。
A4.1.5 ????改變電壓極性(Vs=-4000V), ???????重復A4.1.3 ??及(ji)?A4.1.4 ???過程(cheng)。
A4.1.6 ?????檢查模(mo)擬(ni)(ni)器(qi)(qi)輸出，驗證每次觸(chu)發只產(chan)生一個脈沖(chong)且(qie)電容器(qi)(qi)C1?充(chong)電時沒有脈沖(chong)輸出。?為(wei)觀察(cha)再充(chong)電的(de)(de)瞬態過程，將(jiang)觸(chu)發器(qi)(qi)設置在相反極性(xing)，并(bing)將(jiang)示波器(qi)(qi)的(de)(de)垂直靈(ling)敏度提高約(yue)10倍(bei)，?然后觸(chu)發模(mo)擬(ni)(ni)器(qi)(qi)。
A4.2????分級試驗
A4.2.1 ?????試(shi)驗前和試(shi)驗過程中(zhong)每個器件均(jun)應保持在室溫。
A4.2.2 ????取一個試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)(yang)品按表A1?所示的(de)電(dian)(dian)壓等級來確定該(gai)器件靜電(dian)(dian)放(fang)電(dian)(dian)的(de)失效電(dian)(dian)壓值。對?帶火(huo)花隙(xi)保護的(de)器件，試(shi)(shi)驗(yan)必須從(cong)表A1?所示的(de)最(zui)低電(dian)(dian)壓級開(kai)始，除此之外，試(shi)(shi)驗(yan)可(ke)從(cong)任(ren)何電(dian)(dian)?壓級開(kai)始。用(yong)圖示儀測試(shi)(shi)試(shi)(shi)樣(yang)(yang)的(de)輸入或輸出(chu)的(de)?V/I??損傷(shang)特(te)性或用(yong)其他(ta)簡單的(de)試(shi)(shi)驗(yan)技術確認電(dian)(dian) 壓值(例如，累積(ji)損傷(shang)效應(ying)可(ke)能因在失效電(dian)(dian)壓級下(xia)選(xuan)用(yong)新的(de)樣(yang)(yang)品重(zhong)新試(shi)(shi)驗(yan)而(er)被忽(hu)略，使樣(yang)(yang)品可(ke)?能通過這一電(dian)(dian)壓級的(de)試(shi)(shi)驗(yan))。
A4.2.3 ????選取一組三個(ge)(ge)試驗(yan)(yan)樣品，按(an)表A1?在低于A4.2.2 ???確(que)定(ding)失效電壓值的電壓等級下進??行(xing)試驗(yan)(yan)。每個(ge)(ge)試驗(yan)(yan)樣品都應(ying)按(an)表A2?所示的各個(ge)(ge)管(guan)腳(jiao)組合進行(xing)三次正脈(mo)沖(chong)和三次負(fu)脈(mo)沖(chong)試驗(yan)(yan)。 脈(mo)沖(chong)間隔最少為1s。
表?A2 ???試驗的管腳組合1
| A端(下列各個管腳依次接?到A端，其他管腳懸空) | B端(所有各類同名管腳聯?在一起接到B端) | |
| 1 | 除Vs外的所有管腳2) | 所?有?V?管?腳 |
| 2 | 所有輸入和輸出管腳 | 所有其他的輸入和輸出管腳 |
注：①表A2的(de)說(shuo)明見A4.3。
1)不連接的管(guan)腳是不被(bei)試驗(yan)的。
2)對各類(lei)電源(yuan)腳(jiao)和地，重復管(guan)腳(jiao)組合1的試驗(如Vs 是(shi)Vbu、Vcc、Vss、VBe、GND.+Vs’、VREF等(deng))。
A4.2.4 ????試驗樣品按適用的1和7組進行電性能測試(室溫下的直流參數和功能參數測試)。?A4.2.5 ?????如(ru)果(guo)有一個以(yi)上的(de)試驗樣(yang)品失效，用(yong)三(san)個新的(de)試驗樣(yang)品，在(zai)比所用(yong)電壓(ya)等(deng)級更低(di)的(de)?電壓(ya)下重復A4.2.3???和?A4.2.4。
A4.2.6 ?????如果三(san)個試驗樣品沒(mei)有一個失(shi)(shi)效(xiao)，記下A4.2.2 ??所確定的失(shi)(shi)效(xiao)電(dian)壓值。
A4.3????試驗的管腳組合
A4.3.1 ?????各個管腳(jiao)(jiao)(jiao)依次(ci)接(jie)(jie)到(dao)A?端，相應器件的(de)(de)地腳(jiao)(jiao)(jiao)接(jie)(jie)到(dao)B 端。除(chu)被試(shi)的(de)(de)管腳(jiao)(jiao)(jiao)和地腳(jiao)(jiao)(jiao)外(wai)，其(qi)它所(suo)?有管腳(jiao)(jiao)(jiao)懸空(kong)。相應各個不同類的(de)(de)所(suo)有電(dian)(dian)源腳(jiao)(jiao)(jiao)(如Vss或(huo)?Vs? 或(huo)V??或(huo) Vc ?或(huo)Vec2聯在一(yi)起(qi)接(jie)(jie)到(dao)?B?端。除(chu)被試(shi)的(de)(de)管腳(jiao)(jiao)(jiao)和電(dian)(dian)源腳(jiao)(jiao)(jiao)外(wai)，其(qi)他管腳(jiao)(jiao)(jiao)都(dou)懸空(kong)。
A4.3.2??????各個管腳依(yi)次接到A 端(duan)
A4.3.3??各(ge)個(ge)輸(shu)(shu)入和輸(shu)(shu)出管腳依次接到A?端，相應(ying)所(suo)有其他輸(shu)(shu)入和輸(shu)(shu)出管腳聯在一起接到B
端。除被(bei)試的輸(shu)入(ru)和輸(shu)出管(guan)腳(jiao)以及所有(you)其他輸(shu)入(ru)和輸(shu)出管(guan)腳(jiao)外，其他所有(you)管(guan)腳(jiao)都懸空。
A5 ????說?明
下列內容應在訂(ding)貨單或合同中(zhong)規定(ding)，或在其他場(chang)合明(ming)確規定(ding)。
A5.1??試驗后(hou)電性能測試結果
A5.2 ????采用的特殊條件或代用的管腳組合。
A5.3?????試樣數(shu)量(試樣不(bu)是(shi)3個(ge)時(shi))。
附??錄??B???ESDS?元器件? (參考件)
B1??范圍
本(ben)附錄確(que)定了適用本(ben)標(biao)準ESD?控(kong)制大綱要求的1、2和3級元器(qi)件。
B2?元器件適用性要求
B2.1 ???適用于本標準的ESDS?元器(qi)件列于表B1,?這些元器(qi)件根據元器(qi)件類(lei)型和敏感(gan)度范圍來?分?級?。
B3???詳細要求
B3.1????1、2和3級元器件
表(biao)B1?說明了1、2和3級(ji)元(yuan)器件(jian)類型(xing)(見5.2)。這種分級(ji)的依據是給定元(yuan)器件(jian)類型(xing)中有代?表(biao)性元(yuan)器件(jian)的試驗數(shu)據和報(bao)告。元(yuan)器件(jian)設(she)計、加工技術(shu)或保(bao)護電路的差(cha)異可(ke)能導致元(yuan)器件(jian)不在?表(biao)?B1 規定的范圍內。
B3.2????元器件類型分級
必(bi)要時，附錄A(補充件)的(de)(de)試驗數(shu)據可(ke)取代(dai)表B1的(de)(de)元器件類型(xing)分(fen)級。
表?B1???按元器件類型列出(chu)的ESDS 元器件
| 1級：敏感電壓范圍0～1999V?元?器?件?類?型 |
| 微波器件(肖特基勢壘二極管、點接觸二極管和其他工作頻率大于1GHz的檢測二極管 |
| 離散型MOS場效應晶體管 |
| 聲表面波(SAW)器件 |
| 結型場效應晶體管(JEETs) |
| 電荷耦合器件(CCDs) |
| 精密穩壓二極管(線或加載電壓穩定(0.5%)) |
| 運算放大器(OP?AMPs) |
| 薄膜電阻器 |
| 集成電路 |
| 使用1級元器件的混合電路 |
| 超高速集成電路(VHSIC) |
| 環境溫度100℃時，?I??<0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
續表B1
| 2級：敏感電壓范圍2000～3999V?元?器?件?類?型 |
| 由附錄A(補充件)試(shi)驗數據確定為2級(ji)的元器件和(he)微電路(lu)?離散型(xing)MOS場(chang)效(xiao)應(ying)晶體管
結(jie)型場效應晶體管(JEETs) 運算放大器(qi)(OP?AMPs) 集成電路(ICs) 超高速集成電路(VHSIC) |
| 精密電阻網絡(R2) |
| 使用2級元器件的混合電路 |
| 低功率雙極型晶體管，P≤100mW,Ic<100mA |
| 3級：敏感電壓范圍4000～15999V?元?器?件?類?型 |
| 由附錄A(補充件)試驗數據確定為3級的元器件和微電路： |
| 離散型MOS場效應(ying)晶體管?運算(suan)放大器(OP?AMPs)??集成電路(lu)(ICs)
超高速集成電路(VHSIC) |
| 所有不包括在1級或2級中的其他微電路 |
| Po<1W或I??<1A的小信號二極管 |
| 普通要求的硅整流器 |
| I??>0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
| 350mW>Pa>100mWH400mA>I:>100mA的低功率雙極型晶體管 |
| 光電器件(發光二極管、光敏器件、光耦合器) |
| 片狀電阻器 |
| 使用3級元器件的混合電路 |
| 壓電晶體 |
附??錄??C
靜電敏感符號的顏色和比例尺寸
(補充件)
C1??顏色
靜電敏感符號可以用與底(di)色有明顯對比的任何顏色單色標注。?建議在(zai)黃色底(di)上采用黑(hei)色的符號；盡量(liang)避免采用紅色。
C2???比例尺寸
如果(guo)標(biao)記(ji)位置允許，應按圖Cla??所(suo)示的基本符號進(jin)行標(biao)注。?需要時，也可(ke)以采(cai)用圖C1b?所(suo)示的按比(bi)例縮小的簡(jian)化符號。
圖?Cla??????基本(ben)符(fu)號
圖?C1b??按比例縮小的(de)簡化符號
附加說明：
本標準由中國(guo)電子工業總公司提出。
本標準(zhun)由(you)機械電(dian)子部標準(zhun)化研究(jiu)所歸口(kou)。
本標(biao)準由機械電子(zi)部(bu)標(biao)準化(hua)研究(jiu)所、電子(zi)基礎產品裝(zhuang)備公司起(qi)草。??本標(biao)準主要起(qi)草人：方麗娜、徐(xu)云、林(lin)文荻、王(wang)瑞鋒、穆祥鎮(zhen)、李自強。
計(ji)劃項目代號：90151。